Questions in this chapter

$I_{E}=0.80 \mathrm{~mA} ; I_{B}=0.05 \mathrm{~mA}$

ঘ. “বর্তনীটির ইনপুটে একটি দুর্বল সংকেত প্রয়োগ করে আউটপুটে একটি বিবর্ধিত সংকেত পাওয়া যাবে”— উক্তিটির যথার্থতা যাচাই কর।

গ. প্রবাহ বিবর্ধন গুণক নির্ণয় কর।

ঘ. ইনপুট ভোল্টেজের পরিবর্তন করে ট্রানজিস্টরটিকে একটি সুইচ হিসেবে ব্যবহার করা যায় কি? বিশ্লেষণ কর।

একটি কমন বেস সংযোগে থাকা ট্রানজিস্টরের নিঃসারক ও বেস প্রবাহ যথাক্রমে $0.85$ ও $0.05\ mA$.

ক. ডোপিং কী?

খ. ট্রানজিস্টরের বেস অংশ পাতলা হয় কেন? ব্যাখ্যা দাও।

গ. উদ্দীপকের ট্রানজিস্টরটির বিবর্ধন ফ্যাক্টর নির্ণয় কর।

ঘ. নিঃসারক ও বেস প্রবাহদ্বয় দ্বিগুণ করা হলে ট্রানজিস্টরটির প্রবাহ লাভের পরিবর্তন গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ কর।

$X$ ও $Y$ যথাক্রমে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল। এদেরকে সিলিকন খণ্ডে ডোপিং করে তুমি একটি ডায়োড তৈরি করলে। এখন $X$ মৌলকে অন্য একটি সিলিকন খণ্ডের মাঝখানে ডোপিং করে একটি ট্রানজিস্টরও তৈরি করলে। এটি দেখে তোমার বন্ধু $Y$ মৌলকে মাঝখানে ডোপিং করে আরেকটি ট্রানজিস্টর তৈরি করল।

গ. তোমার তৈরিকৃত ডায়োডটির সম্মুখ ঝোঁক এবং বিমুখী ঝোঁক এর বায়াস বর্তনী দেখাও।

$X$ ও $Y$ যথাক্রমে ত্রিযোজী ও পঞ্চযোজী মৌল। এদেরকে সিলিকন খণ্ডে ডোপিং করে তুমি একটি ডায়োড তৈরি করলে। এখন $X$ মৌলকে অন্য একটি সিলিকন খণ্ডের মাঝখানে ডোপিং করে একটি ট্রানজিস্টরও তৈরি করলে। এটি দেখে তোমার বন্ধু $Y$ মৌলকে মাঝখানে ডোপিং করে আরেকটি ট্রানজিস্টর তৈরি করল।

ঘ. তোমার এবং তোমার বন্ধু দু'জনের তৈরি ট্রানজিস্টর দুটির মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহের (সচিত্র) তুলনামূলক ব্যাখ্যা কর।

$A$ ও $B$ যথাক্রমে ত্রিযোজী এবং পঞ্চযোজী মৌল এদের দ্বারা সিলিকনকে ডোপিং করা যায়।

ঘ. যদি সিলিকন খণ্ডের কিছু অংশ $A$ মৌল এবং একই সাথে বাকী অংশে $B$ মৌল ডোপিং করা হয় তবে প্রাপ্ত যন্ত্রাংশ কি কাজে ব্যবহার করা যেতে পারে? তা প্রয়োজনীয় চিত্রের সাহায্যে বর্ণনা কর।

$A$ ও $B$ যথাক্রমে ত্রিযোজী এবং পঞ্চযোজী মৌল এদের দ্বারা সিলিকনকে ডোপিং করা যায়।

গ. $A$ মৌলটিকে সিলিকনের সাথে ডোপিং করা হলে সিলিকনের বৈশিষ্ট্যের কিরূপ পরিবর্তন ঘটে চিত্রসহ বর্ণনা কর।

গবেষণাগারে একজন শিক্ষার্থী চারটি একই রকমের ডায়োড নিয়ে পরীক্ষা করছিল। সে দেখতে পেল যে প্রতিটি ডায়োডের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য $0.4\ volt$ পরিবর্তন করা হলে তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন $100\ mA$ হয়। ডায়োডগুলো ব্যবহার করে সে একটি পূর্ণ তরঙ্গ রেক্টিফায়ার তৈরি করে পরীক্ষণ শুরু করল। কিছুক্ষণ পর সে বর্তনী থেকে একটি ডায়োড খুলে ফেলল।

গ. উদ্দীপকে উল্লিখিত ডায়োডের গতীয় রোধ কত?

গবেষণাগারে একজন শিক্ষার্থী চারটি একই রকমের ডায়োড নিয়ে পরীক্ষা করছিল। সে দেখতে পেল যে প্রতিটি ডায়োডের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য $0.4\ volt$ পরিবর্তন করা হলে তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তন $100\ mA$ হয়। ডায়োডগুলো ব্যবহার করে সে একটি পূর্ণ তরঙ্গ রেক্টিফায়ার তৈরি করে পরীক্ষণ শুরু করল। কিছুক্ষণ পর সে বর্তনী থেকে একটি ডায়োড খুলে ফেলল।

ঘ. ডায়োডটি খুলে ফেলার পর আউটপুট সিগনালের পরিবর্তন কিরূপ হবে তা সচিত্র বর্ণনা কর।

নীচের বর্তনীর কালেকটর বিভব $V_c$ নির্ণয় কর যখন ট্রানজিস্টরটি $\text{active mode}$ এ ক্রিয়াশীল আছে (অর্থাৎ বেইজ-এমিটার জাংশন সম্মুখী ঝোঁক এবং কালেকটর-বেইজ জাংশন বিমুখী ঝোঁক) দেওয়া আছে, $V_{B E}=0.7 \mathrm{~V}$ এবং $\beta=100$.

একটি সাধারণ নিঃসরক বিবর্ধকের প্রবাহ লাভ $70$ হয়। যদি নিঃসরক প্রবাহ $8.8\ mA$ হয়, তাহলে সংগ্রাহক এবং পীঠ প্রবাহের মান নির্ণয় কর। ট্রানজিস্টরটি যখন সাধারণ পীঠ বিবর্ধক হিসাবে কাজ করে, তখন প্রবাহ লাভ কত?

কোন ট্রানজিস্টরের কমন বেস সার্কিটে এমিটর কারেন্ট $100A$ থেকে $150A$ এ উন্নীত করায় কালেক্টর কারেন্ট $98A$ থেকে $147A$ উন্নীত হল। কারেন্ট অ্যামপ্লিফিকেশন ফ্যাক্টর এবং কারেন্ট গেইন নির্ণয় কর।

উপরের বর্তনীতে $X = ?$ এই ধরনের গেটকে কি বলা হয়?

$\text{p-n junction}$ কি? $\text{Depletion layer}$ ব্যাখ্যা কর।

(ক) $n -$টাইপ সেমিকন্ডাকটর কি?

(খ) ট্রান্সডিউসার কি?

কোন কমন বেস ট্রানজিস্টরের বেজ কারেন্ট ও এমিটার কারেন্ট যথাক্রমে $5 \times 10^{-4} \mathrm{amp}\ ও\ 1 \times 10^{-3} \mathrm{amp}$ কালেক্টর কারেন্ট এবং কারেন্ট গেইন ফ্যাক্টর $\alpha$ নির্ণয় কর।

একটি কমন নিঃসারক ট্রানজিস্টর সংযোগে নিঃসারক প্রবাহ $0.85mA$ এবং বেস প্রবাহ $0.05mA$। $\alpha$ ও $\beta$ এর মান নির্ণয় কর।

কোন ট্রানজিস্টরের সংগ্রাহক প্রবাহ $0.95mA$ এবং নিঃসারক প্রবাহ $0.966 mA$। ট্রানজিস্টরটির $\alpha$ এবং $beta$ নির্ণয় কর।

কোন ট্রানজিস্টরে $8.0mA$ নিঃসারক প্রবাহ পরিবর্তনের জন্য $7.9mA$ সংগ্রাহক প্রবাহের পরিবর্তন ঘটল। প্রবাহ বিবর্ধক গুণক $\alpha$ এবং কারেন্ট গেইন $\beta$ বের কর।