Search
Bookmarks
My requests
Create/Join exam
Test Series
Mock tests

CCCPCC_2022

HSC - পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র→অধ্যায়-১০ঃ সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স→All Topics

$\rm{p-n}$ জাংশন সংযোগস্থলে ভিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হলো—

Loading answers...

Related Questions

HSC - পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র -> অধ্যায়-১০ঃ সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

অর্ধপরিবাহীর আপেক্ষিক রোধের মান কত?

Answers: 0 | Views: 196

HSC - পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র -> অধ্যায়-১০ঃ সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

নিচের অনুচ্ছেদটি পড়ে প্রশ্নের উত্তর দাও: একটি n - p - n ট্রানজিস্টর সাধারণ বেস সংযোগে আছে। এর নিঃসারক প্রবাহ I_{E}=8.5 \times 10^{-4} ~A এবং বেস প্রবাহ I_{B}=5.0 \times 10^{-5} ~A । এ ক্ষেত্রে ট্রানজিস্টরটি কীভাবে ক্রিয়া করবে?

Answers: 0 | Views: 157

HSC - পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র -> অধ্যায়-১০ঃ সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

ট্রানজিস্টরটির বিবর্ধক গুণক কত?

Answers: 0 | Views: 400

HSC - পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র -> অধ্যায়-১০ঃ সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স

একটি ট্রানজিস্টরের \alpha=0.98 হলে, \beta কত?

Answers: 0 | Views: 245

Home
Search
Exam
Mock
Saved