HSC - পদার্থ বিজ্ঞান ২য় পত্র→অধ্যায়-১০ঃ সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেক্ট্রনিক্স→All Topics

একটি ট্রানজিস্টরের সাধারণ নিঃসারক সংযোগ বর্তনীতে সংগ্রাহকে n-p-n প্রযুক্ত বায়াসিং ভোল্টেজ $V_{cc}$ 12 V ইনপুট রোধ $R_{in} = 200\Omega$ সংগ্রাহক বর্তনীতে লোড রোধ $R_L = 1 k.\Omega$ এর মধ্য দিয়ে $I_C$ = 1 mA তড়িৎ প্রবাহিত হয় । প্রবাহ বিবর্ধন গুণক $\alpha$ = 0.98 ক. কঠিন পদার্থের শক্তি ব্যান্ড কী?খ. p-n জাংশন ডায়োডের ক্ষেত্রে “বিপরীত সম্পৃক্ত কারেন্ট” ব্যাখ্যা করো। -গ. ট্রানজিস্টরটির সংগ্রাহক নিঃসরক ভোল্টেজ ($V_{CE}$) নির্ণয় করো । ঘ. ট্রানজিস্টরটি ভোল্টেজ বিবর্ধক হিসেবে কাজ করে— গাণিতিকভাবে বিশ্লেষণ করো ।